အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများတွင် Ta-C ကို ဖုံးအုပ်ထားသည်။

1.Hard Disk Drives (HDDs)- ta-C coatings များကို HDD များတွင် လှည့်ပတ်နေသော disk နှင့် ထပ်ခါတလဲလဲထိတွေ့ခြင်းကြောင့် ပွန်းပဲ့ပျက်စီးခြင်းမှ ဖြစ်ပေါ်လာသော read/write heads များကို ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုပါသည်။၎င်းသည် HDD များ၏ သက်တမ်းကို တိုးစေပြီး ဒေတာဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးသည်။

2.Microelectromechanical Systems (MEMS)- ta-C coatings များသည် ၎င်းတို့၏ ပွတ်တိုက်မှုကိန်းဂဏန်းနည်းပါးပြီး ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် MEMS စက်များတွင် အသုံးပြုပါသည်။၎င်းသည် ချောမွေ့သောလုပ်ဆောင်ချက်ကို သေချာစေပြီး အရှိန်မြှင့်ကိရိယာများ၊ ဂီရိုစကုပ်များနှင့် ဖိအားအာရုံခံကိရိယာများကဲ့သို့သော MEMS အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို တာရှည်စေသည်။
3.Semiconductor Devices- ta-C အပေါ်ယံပိုင်းကို transistor နှင့် integrated circuits များကဲ့သို့ semiconductor devices များတွင် အသုံးချပြီး ၎င်းတို့၏ အပူများ ပျံ့နှံ့နိုင်မှုစွမ်းရည်ကို မြှင့်တင်ရန်။၎င်းသည် အီလက်ထရွန်းနစ်အစိတ်အပိုင်းများ၏ အလုံးစုံသောအပူစီမံခန့်ခွဲမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီး အပူလွန်ကဲခြင်းကို ကာကွယ်ပေးပြီး တည်ငြိမ်သောလည်ပတ်မှုကို သေချာစေသည်။
4.Electronic Connectors များ- ပွတ်တိုက်မှုနှင့် ဟောင်းနွမ်းမှုကို လျှော့ချရန်၊ ထိတွေ့မှု ခံနိုင်ရည်ကို လျှော့ချရန်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်မှုများကို သေချာစေရန်အတွက် ta-C အပေါ်ယံပိုင်းများကို အသုံးပြုထားသည်။
5.Protective Coatings- ta-C အပေါ်ယံအလွှာများကို အီလက်ထရွန်းနစ်အစိတ်အပိုင်းများတွင် ချေးတက်ခြင်း၊ ဓာတ်တိုးခြင်းနှင့် ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေများမှ ကာကွယ်ပေးရန် အမျိုးမျိုးသော အီလက်ထရွန်နစ်အစိတ်အပိုင်းများပေါ်တွင် အကာအကွယ်အလွှာများအဖြစ် အသုံးပြုထားသည်။၎င်းသည် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၏ တာရှည်ခံမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တိုးမြှင့်ပေးသည်။
6.Electromagnetic Interference (EMI) အကာအကွယ်- ta-C သည် EMI အကာအရံများအဖြစ် လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး မလိုလားအပ်သော လျှပ်စစ်သံလိုက်လှိုင်းများကို ပိတ်ဆို့ကာ ထိလွယ်ရှလွယ် အီလက်ထရွန်နစ်အစိတ်အပိုင်းများ အနှောင့်အယှက်မှ ကာကွယ်ပေးပါသည်။
7.Anti-Reflective Coatings- ta-C အပေါ်ယံအလွှာများကို optical အစိတ်အပိုင်းများရှိ အလင်းပြန်မှုကို လျှော့ချရန်နှင့် optical စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။
8.Thin-Film Electrodes- ta-C အပေါ်ယံပိုင်းသည် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် ပါးလွှာသော ဖလင်လျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ် ဆောင်ရွက်နိုင်ပြီး၊ မြင့်မားသောလျှပ်စစ်စီးကူးမှုနှင့် လျှပ်စစ်ဓာတုတည်ငြိမ်မှုကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။